D→S間はN→P→Nとなっており、N→Pの接合が逆向きのため電流は流れない。
P型半導体には「ホール」と呼ばれる＋の電荷が分布している。

G-S間に電圧をかけるとゲート直下のP層がNに反転し、N型半導体の層ができます。これにより N→P→N の経路が N→N→N に変化するので電流IDが流れることができます。
これがMOSFETが「ONになった状態」です。
このN型の層の部分をチャネルといい、チャネルがN型なのでNチャネルMOSFETと言います。
チャネル部分の抵抗をチャネル抵抗といいます。

G-S間に1Vの電圧を掛けても、まだチャネルはＰのままなので、電流は流れない。

G-S間に2Ｖ程度の電圧を掛けると、ようやくチャネルがＮに反転して電流が流れ始める。⇒これがしきい値（VTH）

ON抵抗をしっかり下げるには、VTHより十分に大きな電圧を与える。
VGS=4.5Vで85mΩ、VGS=10Vで79mΩ

図からわかるように、S⇒D間はもともとPN接合すなわちダイオードになっているため、いつでも電流を流すことができます。
このダイオードをボディ（寄生）ダイオードといい、MOSFETの記号を図のように書くこともあります。

S→D間はP→N→PとなっておりN→Pの接合が逆向きのため電流は流れない。
N型半導体には「自由電子」と呼ばれる－の電荷が分布している。

G-S間に電圧をかけると、ゲート直下のN層がPに反転し、P型半導体の層（チャネル）ができます。これにより P→N→P の経路が P→P→P に変化するので電流IDが流れることができます。これがMOSFETが「ONになった状態」です。
チャネルがP型なのでPチャネルMOSFETと言います。

P型半導体中の電流は「ホール」によって運ばれるので、「電子」が流れるN型半導体よりも電流が流れにくい。
つまり、同じチップサイズならN型よりＯＮ抵抗が大きい。

1.  ONにするには、G-S間にマイナスの電圧を印加する。
2. Nチャネル型に比べてON抵抗が大きい。
3. ボディダイオードはD→Sの向き。

このような特性、使い勝手の面から、市場で使用されているMOSFETのほとんどがNチャネル型であり、各半導体メーカーの品揃えも圧倒的にNチャネル型が多くなっています。