SiC（シリコンカーバイド）を用いたMOSFETのイメージ

縦型MOSFET*のウエハ材料にSiCを用いたイメージです。

＊縦型MOSFET
図のように、チップの表裏に電極を設けて、チップの垂直方向に電流を流すタイプのMOSFET。パワーMOSFETやIGBTは一般にこの構造。

材料、構造によるMOSFETの特性比較

項目	記号	単位	MOSFET	SJ-MOSFET	SiC-MOSFET
			F15F60HP2 （新電元）	A社	B社
ドレイン・ソース間電圧	VDSS	V	600	650	650
ドレイン電流（直流）	ID	A	15	8	21
ドレイン電流（Peak）	IDP	A	60	49	52
全損失	PT	W	95	30	103*
ON抵抗	R(DS)ON	Ω	0.49(max.)	0.19(max.)	0.156(max.)
入力容量	Ciss	pF	1750	1150	460
単発アバランシェエネルギー	EAS	mJ	80	57	-
ドレイン・ソースダイオード耐量	di/dt	A/μs	350	55	-
R(DS)ON×Ciss（性能指数）	-	Ω・pF	857.5	218.5	71.76

*B社製品はパッケージが大きいので全損失（許容損失）が大きくなっています。