HEMTとは
GaN（ガリウムナイトライド）はSiC以上の性能指数を持っていますが、SiCよりもさらに結晶化や加工が難しい材料です。
シリコンの表面にGaNを結晶成長させた基板を用いて表面だけで素子を形成するHEMTという技術が用いられています。
HEMT…High Electron Mobility Transistor（高電子移動度トランジスタ）
ウエーハの縦方向に電流を流すよりもずっと短距離でD-Sを構成できますが、G-S間に電圧を印加しなくてもONの状態です。⇒ ノーマリオン
GaN（ガリウムナイトライド）はSiC以上の性能指数を持っていますが、SiCよりもさらに結晶化や加工が難しい材料です。
シリコンの表面にGaNを結晶成長させた基板を用いて表面だけで素子を形成するHEMTという技術が用いられています。
HEMT…High Electron Mobility Transistor（高電子移動度トランジスタ）
ウエーハの縦方向に電流を流すよりもずっと短距離でD-Sを構成できますが、G-S間に電圧を印加しなくてもONの状態です。⇒ ノーマリオン