SiCデバイス
SiCデバイスの特長 ～優れた半導体性能～
次世代のパワーエレクトロニクスを支えるSiC（シリコンカーバイド）デバイスは、従来のシリコン（Si）デバイスを凌駕する数々の特性を備えています。
高効率・高耐圧・高温動作が可能なSiCデバイスは、産業機器から電気自動車、再生可能エネルギー分野まで、幅広い用途で注目を集めています。
新電元では、最先端のSiC技術を活用し、お客様のニーズに応える高性能・高信頼製品を開発しています。
SiCショットキバリアダイオード
小型面実装パッケージを中心に、650Vおよび1200VのSiCショットキバリアダイオード（SiC-SBD）のラインナップを拡充します。
SiC-SBDは、超高速リカバリ特性（trr低減）、高耐圧・高温動作対応といった特長を備え、スイッチング損失の大幅な削減と高効率化を実現します。
さらに、車載対応品の開発や、より低VFを追求した新シリーズの展開も予定しており、幅広いアプリケーションに対応可能な製品群を提供します。
■ 600V耐圧品のリカバリ特性
■ 1200V耐圧品のリカバリ特性
SiC-MOSFET
SiC-MOSFETはスイッチング損失が低く高温動作に優れ、高速動作が可能です。
さらに低オン抵抗のため、従来のスイッチング素子であるIGBTの置き換えとして650V以上の領域におけるインバータ、コンバータなどで機器や冷却ユニットの小型化に貢献します。
■ ゲート電圧許容範囲が広い！
最大定格を広くすることで回路設計のしやすさが向上
■ 高温でも低損失を実現！
実使用の温度領域でフラットなオン抵抗を実現
SiC-MOSFETモジュール
フルブリッジコンバータ、ブリッジレスPFC、インバータ回路、Hブリッジモータ駆動回路など、様々なアプリケーションで使われているパワー半導体には、さらなる電力変換効率の向上が求められています。
これらのニーズに答えるべく、新電元工業では高効率・低ノイズを追求したSiC MOSFETモジュールの開発を進めています。
■ リンギングの低減
主電流と磁気結合しにくい構造でリンギングを低減
■ 確実なターンオフ動作
Vgsの持ち上りがなく確実なターンオフ動作が可能
■ サージ電圧の低減
低インダクタンス構造でサージを50V以上低減
■ ノイズ対策が容易
サージ成分の収束が速くノイズ対策が容易
■ 評価用デモボード
SiC-MOSFETモジュール MG074シリーズの評価用デモボードを用意しました。
詳しくはお問い合わせください。
