MOSFET技術資料

新電元MOSFET製品をより安心してお使いいただくために、特性用語や電気的特性の説明、熱抵抗や損失の求め方、注意点などを技術資料にまとめました。
新電元MOSFET製品をご使用する際にお役立てください。


MOSFET技術資料 目次

はじめにお読みください
1. 特性用語一覧 
 1-1.  絶対最大定格(瞬時であっても超えてはならない値)
 1-2.  電気的・熱的特性
2. 電気的特性
 2-1.  ドレイン・ソース間電圧 VDSS
 2-2.  出力特性 VDS - ID
 2-3.  伝達特性 VGS - ID
 2-4.  オン抵抗 RDS(ON)特性
 2-5.  RDS(on) - VGS曲線について
 2-6.  しきい値電圧 VTH
 2-7.  容量特性 Ciss, Crss, Coss
 2-8.  スイッチング特性 td(on), tr, td(off), tf
 2-9.  ゲートチャージ特性 Qg
 2-10.  安全動作領域 SOA
 2-11.  アバランシェ特性
 2-12.  dv/dt, di/dt特性
 2-13.  静電気耐量(ESD: Electrostatic Discharge)について
 2-14.  ディレーティング曲線について
 2-15.  アバランシェディレーティング曲線について
3. 接合部温度の推定
 3-1.  熱抵抗
  3-1-1. 熱抵抗
  3-1-2. 過渡熱抵抗
 3-2.  電力損失の求め方
  3-2-1. 平均電力損失
  3-2-2. 過渡電力損失
 3-3.  チャネル部温度Tchの推定方法
  3-3-1. ヒートシンクなし
  3-3-2. ヒートシンクあり
4. 回路上の注意点
 4-1.  ゲート・ソース間電圧 VGS
 4-2.  スイッチング時間とドライブ条件
 4-3.  ソース・ドレイン間ダイオードについて
 4-4.  並列接続の注意点
  4-4-1. 電流バラツキ
  4-4-2. 寄生発振
  4-4-3. 配線
 4-5.  サージの注意点

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