MOSFET技術資料
| 新電元MOSFET製品をより安心してお使いいただくために、特性用語や電気的特性の説明、熱抵抗や損失の求め方、注意点などを技術資料にまとめました。 新電元MOSFET製品をご使用する際にお役立てください。 |
MOSFET技術資料 目次
はじめにお読みください
1. 特性用語一覧
1-1. 絶対最大定格（瞬時であっても超えてはならない値）
1-2. 電気的・熱的特性
2. 電気的特性
2-1. ドレイン・ソース間電圧 VDSS
2-2. 出力特性 VDS - ID
2-3. 伝達特性 VGS - ID
2-4. オン抵抗 RDS(ON)特性
2-5. RDS(on) - VGS曲線について
2-6. しきい値電圧 VTH
2-7. 容量特性 Ciss, Crss, Coss
2-8. スイッチング特性 td(on), tr, td(off), tf
2-9. ゲートチャージ特性 Qg
2-10. 安全動作領域 SOA
2-11. アバランシェ特性
2-12. dv/dt, di/dt特性
2-13. 静電気耐量(ESD: Electrostatic Discharge)について
2-14. ディレーティング曲線について
2-15. アバランシェディレーティング曲線について
3. 接合部温度の推定
3-1. 熱抵抗
3-1-1. 熱抵抗
3-1-2. 過渡熱抵抗
3-2. 電力損失の求め方
3-2-1. 平均電力損失
3-2-2. 過渡電力損失
3-3. チャネル部温度Tchの推定方法
3-3-1. ヒートシンクなし
3-3-2. ヒートシンクあり
4. 回路上の注意点
4-1. ゲート・ソース間電圧 VGS
4-2. スイッチング時間とドライブ条件
4-3. ソース・ドレイン間ダイオードについて
4-4. 並列接続の注意点
4-4-1. 電流バラツキ
4-4-2. 寄生発振
4-4-3. 配線
4-5. サージの注意点
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