MF2007SW
アプリケーションノート
概要/特長
「MF2007SW」は、外部 Nch MOSFET を駆動する IC です。ここでは、代表的な２つの使用例を列挙します。
■理想ダイオード（常時 ON）タイプ
ECU はバッテリや DC/DC コンバータの出力を入力源としており、入力部の逆接続保護・逆電流防止用素子には従来 からダイオードが使われてきました。しかし、電子機器の多機能化に伴う大電流化によりダイオードの電圧降下（VF）や 発熱の増加が懸念されています。
このような従来のダイオードに置き換えて、「Nch MOSFET1 つ+MF2007SW」構成 することで低 VF、低発熱を実現する理想ダイオードして使うことができます。
■半導体リレー（双方向導通の ON/OFF スイッチ）タイプ
双方向 ON/OFF スイッチとしては、従来はメカニカルリレーが使われてきました。この双方向スイッチ部に於いても、 小型で軽量であることが求められています。
そこで、メカニカルリレーよりも、小型で軽量にすることができる「Nch MOSFET2 つ+MF2007SW」構成することで、確実な ON/OFF や早い応答性を実現した半導体リレーして使うことが できます。
■ REV 端子の HIGH/LOW 制御で逆電流防止機能の有効/無効を切替え可能
■ 入力最大定格 70V
■ スタンバイ電流 5uA（※EN 端子の LOW によるシャットダウン機能使用時の IC 流入電流）
■ GATE 電圧（チャージポンプ電圧） 12.5V
■ GATE 充電電流 75uA
■ 逆電流検出による急速充電時の GATE 放電電流 0.7A(TYP)
■ EN=LOW による急速充電時の GATE 放電電流 0.12A(TYP)
■ チャージポンプ用コンデンサを内蔵し、外付けコンデンサが不要
■ 外部 Nch MOSFET の Drain-Source 間電位差を監視する機能（VDS 監視機能）を有し、
監視した電位差に合わせて信号をアナログ出力する IDET 端子を活用することで異常時停止が可能
■ 40V までの入力逆接続保護対策あり
■ 小型 SMD パッケージ（TSSOP10:3mm×4.9mm）を採用し、機器の小型化に貢献
■ AEC-Q100 準拠
理想ダイオードタイプ
■ ショットキーバリアダイオードと比べて、VF（電圧降下）・損失・発熱の大幅な低減
■ 逆電流コンパレータで逆電流を検出すると、GATE 急速放電機能（0.7A）が働いて外部 Nch MOSFET を OFF
半導体リレータイプ
■ メカニカルリレーと比べて小型・軽量、早い応答性と、チャタリングの少ない ON/OFF が可能
■ 異常動作検出時、EN 端子を LOW とすることで、GATE 急速放電機能（0.12A）が働き、素早く動作を停止
アプリケーションノート 目次
1 : 概要
1.1 : 特⾧
1.2 : 基本接続例
1.3 : ブロック図
1.4 : 端子配置・端子機能名称
1.5 : 外形・寸法（パッケージ TSSOP10）
1.6 : ランドパターン例
2 : 仕様
2.1 : 絶対最大定格
2.2 : 推奨動作条件
2.3 : 電気的特性
3 : 各端子機能、電気的特性について
3.1 : VIN 端子
3.2 : EN 端子
3.3 : GATE 端子
3.4 : SOURCE 端子
3.5 : OUT 端子
3.6 : IDET 端子
3.7 : REV 端子
3.8 : GND 端子
4 : 回路動作と機能
4.1 : 基本動作
4.2 : 通常起動・通常停止
4.3 : 外部 Nch MOSFET の ON/OFF 駆動
4.4 : GATE 急速放電機能
4.5 : 逆電流防止動作
4.6 : VDS 監視機能
4.7 : 40V までの入力逆接続対策
4.8 : IC 消費電流
5 : 周辺部品定数の選定方法
5.1 : Nch MOSFET
5.2 : VIN 端子コンデンサ・OUT 端子コンデンサ
5.3 : EN 端子コンデンサ・REV 端子コンデンサ
5.4 : IDET 回路
5.5 : 外部保護部品
5.5.1 : 入力サージ保護
5.5.2 : 出力負電圧対策
5.5.3 : ゲート保護
6 : 応用回路例
6.1 : 並列接続の理想ダイオード
6.2 : 双方向導通の半導体リレー
7 : パターンレイアウト
7.1 : パターンレイアウト例
回路例
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