MF2003SV V-DiodeTM
アプリケーションノート
概要/特長
車載機器の電子制御技術の進化に伴い、ECU（Electronic Control Units）の車両搭載数も増加しており、その用途も多岐に渡ります。
ECUはバッテリや DC/DCコンバータの出力を入力源としており、入力部の逆接続保護・逆電流防止用素子には以前からダイオードが使われてきました。
しかし、電子機器の多機能化に伴う大電流化によりダイオードの電圧降下（VF）や発熱の増加が懸念され、大電流での電圧降下や発熱を抑えられる逆接続保護・逆電流防止用素子が求められています。
このような市場のニーズに応えるべく、低VF・低損失・低発熱を可能としたPch MOSFETと、逆接続保護・逆電流防止機能を備えた制御回路を内蔵した理想ダイオード IC:V-DiodeTM「MF2003SV」を製品化しました。
■ VF(電圧降下)・損失・発熱の大幅低減
■ 小型リードレス・パッケージ ⇒ 機器の小型化に貢献 WSON8:4mm×4mm
■ 逆電流防止や入力逆接続対策の保護機能を内蔵
■ 各端子でのサージ防護用のESD保護素子を内蔵
■ アクティブクランプ機能付きPch MOSFETを内蔵
■ 動作電圧 2.5V ～ 40V
■ 定格電流 5A
■ 内蔵Pch MOSFETのON抵抗 Ron = 53mΩ(typ)、70mΩ(max)
■ IC消費電流 3uA 以下（※無負荷時の IC 消費電流）
■ AEC-Q100規格（試験中）
アプリケーションノート 目次
1 : 概要
1.1: 特長
1.2: 代表回路例
1.3: ブロック図
1.4: 端子配置・端子機能
1.5: 外形、寸法（パッケージ WSON8）
1.6: 参考ソルダリングパッド
2 : 仕様
2.1: 絶対最大定格
2.2: 推奨動作条件
2.3: 電気的特性
2.4: 参考特性図
3 : 回路動作と機能
3.1: 基本動作
3.2: 起動・入力低下・停止の動作
3.3: 負荷変動
3.4: 逆電流防止動作
3.5: 入力逆接続時の動作
3.5.1: 入力逆接続時のPch MOSFETのゲート制御
3.5.2: 入力逆接続時のIC保護
3.6: 内蔵保護素子、アクティブクランプ機能
3.6.1: 各保護素子の図示
3.6.2: アクティブクランプ機能による動作
3.7: 消費電流
4 : 周辺部品の選定
4.1: GND端子抵抗
4.1.1: GND端子抵抗R1の選定
4.1.2: GND端子抵抗付加によるターンオン動作
4.2: 端子直近コンデンサ
5 : 応用回路例
5.1: ORing接続
5.2: 並列接続
5.3: 入力サージ保護
5.4: 出力負電圧対策
6 : パターンレイアウト
6.1: パターンレイアウト例
回路例
| 免責事項 |
| 当ウェブサイトから本資料をダウンロードされる前に以下の免責事項を十分にお読みいただき、同意される場合にのみ同意ボタンからダウンロードを行なって下さい。 |
|
