開発情報

MG001AM(仮称)
特長

• GaNの安定動作を可能にするパワーモジュール
  GaNの性能を最大限引き出すために、ハーフブリッジ回路をモジュール化することで低インダクタンスで安定動作が可能なパワーモジュールによりGaN駆動回路の設計を容易にします。
• ノーマリーオフにより機器の安全動作を実現
  ゲート電圧が印加されていない状態で素子がオフのため制御性がよく確実に電流を遮断できるため、機器の安全動作を実現します。
• 機器の大幅な低損失化が可能
  スイッチング損失、導通損失が小さく、従来のシリコンパワーデバイスと比較して大幅な低損失化が可能で機器の省エネ化が可能です。
  放熱系の小型化にも貢献します。
• 高周波数駆動で電源のトランスサイズを50%小型化
  ゲート容量(Qg)が小さく高周波数スイッチングが可能なGaNは、電源の高周波数化で更なる小型化に貢献します。
  電源のスイッチング周波数を従来の100kHzから1MHzにすることで、メイントランスや共振トランスのサイズを約50%の小型化を実現します。
• ハーフブリッジ回路の実装スペース40%削減
  ハーフブリッジ回路をGaNの単体製品(TO-247 2個)で構成した場合に対して実装スペースを40%削減可能です。
• 絶縁パッケージ採用により放熱フィンとの絶縁が不要
  実装工程の簡素化が可能です。

 

定格

アプリケーション例

サーバ電源、急速充電スタンド、基地局向け電源、エアコン、モータ駆動

新電元工業株式会社
営業統括部　販売促進課
TEL 03-3279-4687