SiC MOSFETを使用したフルブリッジ構成のパワーモジュールです。
低インダクタンスと高放熱を特長とするトランスファーモールドタイプのパッケージを採用することで、高効率と低ノイズを実現します。

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車載/産業機器の制御ユニット入力部などの逆接続・逆電流防止用途に理想ダイオードICを用意しました。
導通損失を大幅に低減するとともに、外付け部品が不要となり、設計の簡素化や回路の小型化も実現します。

今回は高耐圧・高速動作を実現した低損失SiC MOSFETや高耐圧MOSFET、小型・大電流パワーMOSFET、小型・低損失の2素子入りパワーMOSFETなど車載機器から民生機器、産業機器など幅広い用途で使用いただけるMOSFETをご紹介致します。