MF2008SW
アプリケーションノート
概要/特長
「MF2008SW」は、外部 Nch MOSFET を駆動する IC です。ここでは、代表的な２つの使用例を列挙します。
■理想ダイオード（常時 ON）タイプ
ECU はバッテリや DC/DC コンバータの出力を入力源としており、入力部の逆接続保護・逆電流防止用素子には従来からダイオードが使われてきました。しかし、電子機器の多機能化に伴う大電流化によりダイオードの電圧降下（VF）や発熱の増加が懸念されています。
このような従来のダイオードから、「Nch MOSFET1 つ+MF2008SW」構成に置き換えることで低 VF、低発熱を実現する理想ダイオードして使うことができます。
■半導体リレー（双方向導通の ON/OFF スイッチ）タイプ
双方向 ON/OFF スイッチとしては、従来はメカニカルリレーが使われてきました。この双方向スイッチ部に於いても、 小型で軽量であることが求められています。
そこで、メカニカルリレーよりも、小型で軽量にすることができる「Nch MOSFET2 つ+MF2008SW」構成することで、確実な ON/OFF や早い応答性を実現した半導体リレーして使うことができます。
■ REV端子のHIGH/LOW制御で、逆電流防止機能の有効/無効を切替え可能
■ 入力最大定格 70V
■ スタンバイ電流 5uA（※EN 端子の LOW によるシャットダウン機能使用時の IC 流入電流）
■ GATE 電圧（チャージポンプ電圧） 12.5V
■ GATE 充電電流 75uA
■ GATE 放電電流 0.7A(TYP)：逆電流検出による急速放電時
■ GATE 放電電流 0.12A(TYP)：EN=LOW による急速放電時
■ 順方向制御により、逆電流保護検出前よりGateを停止させ、軽負荷時でも逆電流を防止
■ チャージポンプ用コンデンサを内蔵し、外付けコンデンサが不要
■ 外部 Nch MOSFET の Drain-Source 間電位差を監視する機能（VDS 監視機能）を有し、
監視した電位差に合わせて信号をアナログ出力する IDET 端子を活用することで異常時停止が可能
■ 40V までの入力逆接続保護対策あり
■ 小型 SMD パッケージ（TSSOP10:3mm×4.9mm）を採用し、機器の小型化に貢献
■ AEC-Q100 準拠
理想ダイオードタイプ
■ ショットキーバリアダイオードと比べて、VF（電圧降下）・損失・発熱の大幅な低減
■ 逆電流コンパレータで逆電流を検出すると、GATE 急速放電機能（0.7A）が働いて外部 Nch MOSFET を OFF
半導体リレータイプ
■ メカニカルリレーと比べて小型・軽量、早い応答性と、チャタリングの少ない ON/OFF が可能
■ 異常動作検出時、EN 端子を LOW とすることで、GATE 急速放電機能（0.12A）が働き、素早く動作を停止
アプリケーションノート 目次
1： 概要
1.1：特長
1.2：基本接続例
1.3：ブロック図
1.4：端子配置・端子機能
1.5：外形・寸法（パッケージ TSSOP10）
1.6：ソルダリングパッドの参考パターン
2：仕様
2.1：絶対最大定格
2.2：推奨動作条件
2.3：電気的特性
3：各端子機能、電気的特性について
3.1：VIN 端子
3.2：EN 端子
3.3：GATE 端子
3.4：SOURCE 端子
3.5：OUT 端子
3.6：IDET 端子
3.7：REV 端子
3.8：GND 端子
4：回路動作と機能
4.1：基本動作
4.2：通常起動・通常停止
4.3：外部Nch MOSFETのON/OFF駆動
4.4：GATE 急速放電機能
4.5：逆電流防止動作
4.6：順方向制御
4.7：VDS 監視機能
4.8：40V までの入力逆接続対策
4.9：IC 消費電流
5：周辺部品定数の選定方法
5.1：Nch MOSFET
5.2：VIN 端子コンデンサ・OUT 端子コンデンサ
5.3：GATE 端子-SOURCE 端子間の放電抵抗
5.4：EN 端子コンデンサ・REV 端子コンデンサ
5.5：IDET 回路
5.6：外部保護部品
5.6.1：出力負電圧対策
5.6.2：ゲート保護
6：応用回路例
6.1：オアリング回路の理想ダイオード
6.2：突入電流対策の半導体リレー
7：パターンレイアウト
回路例
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