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高効率電源の実現に貢献する650V耐圧SiCショットキーバリアダイオードを発売

2026年10月28日

～V_Fとリカバリ特性を大幅に改善、産業機器などの省エネ化を支援～

新電元工業株式会社は、この課題に対応するため650V耐圧SiCショットキーバリアダイオードを開発、発売を開始しました。
SiCとSBD構造を組み合わせることで、従来のFRDに比べて順方向電圧（V_F）とリカバリ特性を大幅に改善。
サーバー電源や産業機器向け電源の高効率化、省エネ化、小型化に貢献します。

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■ 特長

スイッチングノイズを低減
設計を最適化することで、スイッチングノイズに影響するI_RPを他社SiCショットキーバリアダイオードよりも改善。
高周波電源回路のノイズを抑制し、周辺回路の小型化に貢献します。

その他の特長
・SiCとSBD構造の採用により優れたリカバリ特性を実現
・サーバー電源、産業機器電源向けに最適
・高周波化による電源の高効率化に対応
・電源回路の小型化・軽量化に貢献
・民生機器やPFC回路への展開も可能

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■ 製品仕様

Products	絶対最大定格（Tc=25°C）				電気的・熱的特性（Tc=25°C）
	Tj [°C]	VRRM [V]	IF typ. [A]	IFSM [A]	VF typ. [V]	IR max. [uA]	trr/Qrr typ. [ns]/[nC]	Rth(j-c) max. [°C/W]
WS20GC65A	-55～175	650	20	76	1.47 (IF=20A)	100 (VR=650V)	10.0/12.7 *	2.2
WS20GCC65A	-55～175	650	20	46	1.49 (IF=10A*)	50 (VR=650V*)	6.7/5.7 *	1.6
WS40GCC65A	-55～175	650	40	75	1.47 (IF=20A*)	100 (VR=650V*)	10.0/12.7 *	1.1

*per diode

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新電元工業株式会社
マーケティング部