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SiC-MOSFETのサンプル出荷開始
~ 高電圧機器の高効率化・小型化に貢献 ~

2025年10月31日

新電元工業は、既にサンプル出荷しているSiC-SBDに続き、車載用途にも対応可能なSiC-MOSFETのサンプル出荷を開始します。
車載機器、産業機器、民生機器における電源用途では、省エネルギー化の観点から、より高効率・低損失なデバイスが求められています。そのため、従来のシリコンMOSFETから、高速動作が可能なSiC-MOSFETへの置き換えが進んでいます。
一方で、SiC-MOSFETには、ゲート保証電圧範囲の狭さや、高温時におけるオン抵抗(Ron)の上昇による導通損失の増加といった課題もあります。

こうしたニーズと課題に対応するため、新電元工業では、車載用途にも展開可能な650V、750V、1,200V耐圧のSiC-MOSFETを開発しています。パッケージは、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7pをご用意しました。
特にTO-247-4LおよびTO-263-7pは、SiC-MOSFETの性能を最大限に引き出すケルビンソース端子構造を採用しています。

主な特長は以下の通りです
 1.広いゲート保証電圧範囲により回路設計のしやすさが向上
 2.高温時におけるRonの上昇抑制による導通損失の低減

これにより、お客様の設計負担軽減に貢献します。
また、本製品はAEC-Q101準拠を予定しており、車載製品への搭載も可能です。
今後も、大電流対応のパワーMOSFETラインアップを拡充し、市場の多様なニーズに応えてまいります。


■ 特長

広いゲート保証電圧範囲
最大定格を広くすることで回路設計のしやすさが向上
SiC-MOSFETの広いゲート駆動電圧 

高温でも低損失を実現
実使用の温度領域でフラットなオン抵抗を実現
SiC-MOSFETの高温でのオン抵抗特性 


■ 製品仕様

面実装型パッケージ GF

Products 絶対最大定格(Tc=25°C) 電気的・熱的特性(Tc=25°C) Package Automotive
TCH
[°C]
VDSS
[V]
ID
[A]
VTH typ.
[V]
RDS(ON) typ.
[mΩ]
WP60GFS75AAK -55~175 750 60 3.0 28 GF
WP38GFS75AAK -55~175 750 38 3.0 50 GF
WP33GFS75AAK -55~175 750 33 3.0 63 GF
WP21GFS75AAK -55~175 750 21 3.0 133 GF
WP55GFS120AAK -55~175 1200 55 3.0 36 GF
WP35GFS120AAK -55~175 1200 35 3.0 65 GF
WP30GFS120AAK -55~175 1200 30 3.0 80 GF
WP19GFS120AAK -55~175 1200 19 3.0 171 GF

挿入型パッケージ GC/GE

Products 絶対最大定格(Tc=25°C) 電気的・熱的特性(Tc=25°C) Package Automotive
TCH
[°C]
VDSS
[V]
ID
[A]
VTH typ.
[V]
RDS(ON) typ.
[mΩ]
WP80GC65A -55~175 650 80 3.0 18 GC
WP60GC65A -55~175 650 60 3.0 28 GC
WP38GC65A -55~175 650 38 3.0 50 GC
WP33GC65A -55~175 650 33 3.0 63 GC
WP80GES75AK -55~175 750 80 3.0 18 GE
WP60GES75AK -55~175 750 60 3.0 28 GE
WP38GES75AK -55~175 750 38 3.0 50 GE
WP33GES75AK -55~175 750 33 3.0 63 GE
WP65GES120AK -55~175 1200 65 3.0 24 GE
WP55GES120AK -55~175 1200 55 3.0 36 GE
WP35GES120AK -55~175 1200 35 3.0 65 GE
WP30GES120AK -55~175 1200 30 3.0 80 GE

■ 用途例
 ・サーバー電源
 ・産業機器用電源
 ・民生家電
 ・オンボードチャージャー
 ・車載用DC/DCコンバータ
 ・PFC回路

…など

■ サンプル出荷時期
 2025年11月

■ 発売予定時期
 2026年8月


この製品に関するお問い合わせはこちら

新電元工業株式会社
マーケティング部

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