新製品情報
順方向制御機能を搭載、High-side Nch-MOSFETゲートドライバIC発売
～理想ダイオードとして車載機器の小型化、低損失化に貢献～
2025年02月12日
新電元工業株式会社は、車載機器向けにHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2008SW」を発売しました。
近年の自動車は電子機器（ECU：Electronic Control Unit）の高機能化や多機能化に伴い消費電力が増加しています。従来、ECU入力部の逆接続保護および逆電流防止用素子にはダイオードが使用されてきましたが、電流増加による電力の損失や発熱の増加が課題となっていました。そこで、代替デバイスとして「理想ダイオード」の需要が高まっています。これらのデバイスはユニットが省電力時・軽負荷時でも安定して逆電流を防止する必要があるため、より高信頼性が求められています。
このようなニーズに応えるべくHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2008SW」を発売しました。本製品はNch-MOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードとして使用可能です。 前モデル※1に順方向制御を取り入れることで、逆電流が流れる前段階でのGate停止を可能とし、軽負荷時でも逆電流を防止します。また、従来ダイオード※2と比較し電力の損失を約72％、温度上昇を約51％抑制することができ※3、これにより車載製品など逆接続・逆電流保護を必要とする機器の小型化、電力の低損失化に貢献します。 また、Nch-MOSFET 2個 と組み合わせることで双方向導通の半導体リレーとしても使用可能 です。従来のメカニカルリレーと比較し、応答時間を約1/1000に短縮、実装面積を約96％の低減が可能となり、高速応答・小型化に寄与します。
※1 High-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2007SW」
※2 ショットキーバリアダイオード「D30FDC4S」との比較
※3 Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合
■ 特長
【理想ダイオードとして使用する場合】
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順方向制御機能 |
電力損失の低減 |
温度上昇の抑制 |
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【VIN】-【OUT】<30mVで昇圧停止【VIN】-【OUT】>45mVで昇圧再開することで外付けNchMOSFETのVDS電圧を制御。 |
理想ダイオードとして使用する場合※3、従来ダイオード※2と比較し、電力損失を約72％低減させることが可能。 ※2 ショットキーバリアダイオード「D30FDC4S」との比較 ※3 Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合 |
理想ダイオードとして使用する場合※3、従来ダイオード※2と比較し、温度上昇を約51％抑制させることが可能。 ※2 ショットキーバリアダイオード「D30FDC4S」との比較 ※3 Nch-MOSFET「P24LF4QNK」と組み合わせた場合 |
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【半導体リレーとして使用する場合】
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高速応答 |
| 半導体リレーとして使用する場合、ON/OFF信号に対する動作時間が速く、メカニカルリレーと比べてON時は約1/20、OFF時は約1/1000の応答時間短縮を実現。 |
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確実なON/OFF |
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メカニカルリレーでは発生するON/OFF時の微細な振動を、半導体リレーでは発生を防止※４。 |
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実装面積の削減 |
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半導体リレーとして使用する場合、メカニカルリレーと比較して実装面積を約96％削減させることが可能。 |
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その他の特長 |
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・AEC-Q100準拠 |
■ 用途例
・先進運転システム（ADAS）
・自動運転関連の車載ECU
・CNC
・シーケンサ
・サーバ等の電源の出力部Oring
■ブロック図
■外形寸法図
■ 製品仕様
| 項目 | MF2008SW |
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動作電圧 |
4.5～65V |
| 動作時消費電流 | 200 μA |
| スタンバイ電流 | ≦5μA(外部信号あり) |
| 昇圧回路出力電流 | 75μA (Typ.) |
| 昇圧電圧 | 12.5V(Typ.) |
| 逆電流 OFF開始時間/電流 | 200ns/0.7A (Typ.) |
| EN OFF開始時間/電流 | 50ns/0.12A(Typ.) |
| 電源逆接続時 | 電流低減＋外部Gate放電 |
| チャージポンプ | キャパシタ内臓 |
| 順方向制御 | 30～45mV |
■ 生産工場
東根新電元 他
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