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性能指数を24%低減した第4世代パワーMOSFETを新たに4機種発売 様々なモバイル機器の小型化・省電力化に貢献

2020年08月18日

新電元工業株式会社は、パワーMOSFET「EETMOS® 4シリーズ」新規4機種の量産を開始しました。本シリーズは新構造のチップとCuクリップの採用により5×6mmサイズの小型パッケージでありながら低損失・大電流化を実現しており、バッテリー駆動機器における各種モータ駆動回路、各種電源回路、リレー用途など様々なアプリケーションの小型化や低消費電力化による長時間駆動に貢献します。また、パッケージのリードはガルウィング形状を採用することにより、高信頼性実装を実現しました。

■概要

近年、スティック掃除機、パワーツール、電動自転車などバッテリーを搭載した製品が急増しています。
また、ドローンのような新規市場も拡大を続けています。これらバッテリー駆動機器では機器の小型化や低消費電力化による長時間駆動が求められており、キーパーツとなるパワー半導体製品には更なる小型化・高効率化が求められています。
このような市場のニーズに応えるべく、40V～120V耐圧の小型・低オン抵抗のパワーMOSFETのラインナップの拡充をしています。
本製品は、新構造の第4世代のパワーMOSFET(EETMOS® 4)を、電気抵抗が小さく放熱効果が高いCuクリップ接続の小型パッケージに搭載することで、オン抵抗と全ゲート電荷量の積である性能指数（FOM：Figure Of Merit）を24%^＊１低減し、電源回路の変換効率を高めるとともに実装面積を54%^＊１削減し、機器の小型化、高効率化に貢献します。
また、バッテリーを電源とするようなモバイル機器は耐衝撃性の理由から強固なはんだ付け性が求められますが、本シリーズはパッケージのリード先端部のメッキ処理による優れたはんだ濡れ性やガルウィング形状のリードを採用することで容易にはんだフィレットを形成できますので、実装性の向上と高信頼性を実現しています。

※1：当社従来品との比較
＊「EETMOS」は、Extremely Efficient Trench gate MOSの略称で、当社の登録商標です。

■特長

1：新構造 第4世代パワーMOSFET【図1】
　　新構造、第4世代チップを低抵抗接続子採用のパッケージに搭載することで性能指数^※2を24%低減しました。
2：Cuクリップ構造採用【図1,2】
　　低抵抗・高放熱のCuクリップ接続を採用した小型パッケージ（5×6mm）により実装面積を54%削減しました。
3：ガルウィング形状のリード【図3】
　　基板応力緩和とリード先端部メッキ処理により高信頼性実装を実現しました。
4：既存パッケージからの置き換えが可能
　　SOP8やHSON系パッケージと類似外形のため置き換えが容易です。
5：Tj=175℃保証

※2：性能指数=R_DS(on)×Qg

■用途例

・各種モータ駆動回路 … パワーツール、スティック掃除機、電動自転車、ドローンなど
・各種電源　　　　　 … LEDバックライト・昇圧回路など
・リレー・逆接防止用途
・BMS（バッテリーマネジメントシステム）

■EETMOS®4 新機種 製品仕様

Type. No.	VDSS [V]	ID [A]	RDS(on) [mΩ]		Vth [V]
			typ.	max.
P70LF4QL	40	70	3.6	4.5	2.0
P38LF6QL	60	38	7.9	9.9	2.0
P70LF4QN	40	70	3.9	4.9	3.0
P38LF6QN	60	38	8.3	10.4	3.0

■外形寸法図および内部等価回路

■生産工場

株式会社東根新電元　等

■お問い合わせ

この製品に関するお問い合わせはこちら

新電元工業株式会社
営業統括部 販売促進課
TEL 03-3279-4687