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AEC-Q101準拠、オン抵抗を40%削減した第4世代パワーMOSFETを新たに4機種発売 様々なアプリケーションの小型化・省電力化に貢献

2020年06月22日

新電元工業株式会社は、車載信頼性規格AEC-Q101に準拠したパワーMOSFET「EETMOS® 4シリーズ」4機種を新たにラインナップに加えました。本シリーズは5×6mmサイズの小型パッケージでありながら低損失・大電流化を実現しており、各種モータ駆動回路、各種電源回路、リレー用途など様々なアプリケーションでの小型化・高効率化に貢献します。
また、パッケージのリードはガルウィング形状を採用することにより、車載向け用途での高信頼性実装を実現しました。
本シリーズ新規4機種のサンプル対応は2020年6月から開始、量産開始は12月を予定しています。

■概要

近年、環境配慮による規制強化から自動車の電動化が急速に進んでいます。
これまで機械式制御だったウォーターポンプやオイルポンプなどの駆動損失を低減するために、モータ制御による電動化が進むなど省燃費化に向けて電動システムの市場が拡大しており、これら電動システムでキーパーツとなるパワー半導体製品には更なる小型化・高効率化が求められています。
このような市場のニーズに応えるべく、当社は車載信頼性規格AEC-Q101に準拠した、40V～120V耐圧の小型・低オン抵抗のパワーMOSFETのラインナップの拡充をしています。
本製品は、新構造の第4世代のパワーMOSFET(EETMOS® 4)を、電気抵抗が小さく放熱効果が高いCuクリップ接続の小型パッケージに搭載することで、トータルのオン抵抗を40%^＊１、実装面積は52%^＊１削減し、電動システムの小型化、高効率化に貢献します。
また、車載部品の基板実装では強固なはんだ付け性が求められますが、パッケージのリード先端部のメッキ処理による優れたはんだ濡れ性やガルウィング形状のリードを採用することで容易にはんだフィレットを形成できますので、車載用途における高信頼性実装を実現します。

※1：当社従来品との比較

＊「EETMOS」は、Extremely Efficient Trench gate MOSの略称で、当社の登録商標です。

■特長

1：新構造 第4世代パワーMOSFET
　　実装面積を52%削減、5×6mmサイズの小型化を実現。オン抵抗の40%削減＊2も実現しました。
2：Cuクリップ構造採用
　　大幅な低抵抗化・放熱性向上で、小型化・オン抵抗の削減を実現しました。
3：ガルウィング形状のリード
　　基板応力緩和とリード先端部メッキ処理により、車載用途においても高信頼性実装を実現しました。
4：既存パッケージからの置き換えが可能
　　SOP8やHSON系パッケージと類似外形のため置き換えが容易です。
5：AEC-Q101準拠 / Tj=175℃保証

※2：接続構造による電気抵抗削減との合算値

■用途例

・各種モータ駆動回路 … ファンモータ・ウォーターポンプ・オイルポンプ・ワイパーなど
・各種電源　　　　　 … LEDヘッドライト・ECU昇圧回路など
・リレー・逆接防止用途
・BMS（バッテリーマネジメントシステム）

■ EETMOS®4　新機種　製品仕様

Type. No.	VDSS [V]	ID [A]	RDS(on) [mΩ]		Vth [V]
			typ.	max.
P24LF4QLK	40	24	9.6	12.0	2.0
P18LF6QLK	60	18	21.0	26.0	2.0
P24LF4QNK	40	24	10.2	12.7	3.0
P18LF6QNK	60	18	21.0	26.0	3.0

■外形寸法図および内部等価回路

■発売時期

2020年6月よりサンプル対応中です。
量産開始は2020年12月を予定しています。

■生産工場

株式会社東根新電元　等

■お問い合わせ

この製品に関するお問い合わせはこちら

新電元工業株式会社
営業統括部 販売促進課
TEL 03-3279-4687