▼MF2003SV V-Diode^TM　
逆流防止機能内蔵Pch_MOSFET 低損失・小型化を実現

▼MF2007SW
逆流防止機能内蔵 Nch_MOSFETハイサイドゲートドライバ

MOSFETを使用することでSBDと比較して発熱・損失低減が図れます。
内蔵MOSFET R_on≒57mΩ

内蔵PchMOSFETのブレークダウン防止で、ΔV_DS≒40V程度でクランプする機能を搭載しています。

ウェッタブル・フランク対応のリードレスパッケージ、WSON8(4.0㎜ サイズ)を採用しています。

	MF2003SV
パッケージ	WSON8-4040
動作電圧	2.5 to 40V
電流	5A
暗電流	≦3μA
内蔵MOS Ron	53ｍΩ(Typ.)
逆接続保護	内蔵
逆電流防止	25mVオフセットのコンパレータ
IFSM	70A
Toff	500ns（Typ.）

MOSFETを使用することでSBDと比較して発熱・損失低減が図れます。発熱・損失は外付けNch_MOSFETに依存します。

REV端子のHi/Loで逆電流防止機能の有無が決定できます。
機能無：双方向導通が可能。

4.5～65Vと幅広い入力電圧に対応しているため様々な機器で使用することができます。

	MF2007SW
パッケージ	TSSOP10
動作電圧	4.5～65V
スタンバイ電流	≦5μA （外部信号あり）
昇圧回路出力電流	75μA（Typ.）
昇圧電圧	12.5V（Typ.）
逆電流_OFF時間/電流	200ns/0.7A（Typ.)
EN_OFF時間/電流	50ns/0.12A（Typ.)
電源逆接続時	電流低減+外部Gate放電
チャージポンプ	キャパシタ内蔵