ブリッジダイオード

▼D35XB80/D40XB100
最大定格電流40Aを実現 、
大電流・ハイパワーが可能

▼LK25XB60
雷サージ耐量を強化、
低VF特性で消費電力の低減に貢献

▼US30KBV80FR
175℃保証、省スペース対応
大電流ブリッジダイオード

放熱に優れた内部構造
5Sパッケージは当社が世界で初めて製品化した絶縁性SIP型ブリッジダイオード用パッケージで、業界標準となっています。
熱設計上、放熱に優れた内部構造となっており、それぞれ4つあるチップおよび端子の温度差が非常に小さくなっています。 部品信頼度および実装信頼度が非常に高いブリッジダイオードに最適なパッケージです。



製品仕様
Part Name 絶対最大定格 電気的特性
Tstg [°C] Tj [°C] IF typ [A] VRRM [V] IFSM [A] VF max [V] IR max [uA] trr max [ns] Rth(j-c) [°C/W]
D40XB100
新製品		 -55～150 -55～150 40
(Tc=85°C)		 1000 550
(50Hz)		 1.05
(IF=20A per diode)		 10
(VR=1000V per diode)		 27 0.8
D35XB80 -55～150 -55～150 35
(Tc=93°C)		 800 550(50Hz) 1.05
(IF=17.5A per diode)		 10
(VR=800V per diode)		 27 0.8
D25XB80 -40～150 -40～150 35
(Tc=98°C)		 800 350(50Hz) 1.05
(IF=12.5A per diode)		 10
(VR=800V per diode)		 ※1 1.0
※1 お問い合わせください

放熱に優れた内部構造
5Sパッケージは当社が世界で初めて製品化した絶縁性SIP型ブリッジダイオード用パッケージで、業界標準となっています。
熱設計上、放熱に優れた内部構造となっており、それぞれ4つあるチップおよび端子の温度差が非常に小さくなっています。 部品信頼度および実装信頼度が非常に高いブリッジダイオードに最適なパッケージです。
業界最高水準の低VF
当社従来品(D25XB80)とのVF特性比較表です。低VFで損失低減に貢献します。
製品仕様
Part Name 絶対最大定格 電気的特性 Molding compound
Tstg [°C] Tj [°C] IF typ. [A] VRRM [V] IFSM [A] VF [V] IR max [uA]※2 Rth(j-c) [°C/W]
LL15XB60 -55～150 -55～150 15
(Tc=124°C)		 600 200 typ 0.86
max 0.90		 10 1.0 Non - Green
LL25XB60 -55～150 -55～150 25
(Tc=113°C)		 600 300 typ 0.87
max 0.92		 10 0.8 Non - Green
LL25XB60F -55～150 -55～150 25
(Tc=113°C)		 600 300 typ 0.87
max 0.92		 10 0.8 Green
(Halogen Free)
LK25XB60 -55～150 -55～150 25
(Tc=93°C)		 600 400 max 0.95 10 0.8 Non - Green
※2 VR=600V per diode

高温動作保証（175°C）で電力消費量削減に貢献
高温動作保証により、ダイオードの高温低VF領域を積極的に活用することで、消費電力の削減に貢献します。
製品仕様
Part Name 絶対最大定格 電気的特性 Molding
compound
Tstg [°C] Tj [°C] IF typ. [A] VRRM [V] IFSM [A] VF max [V] IR max ※3 Rth(j-c) [°C/W]
US30KBV80FR -55～175 -55～175 30
(Tc=126°C)		 800 350 1.05 5 0.8 Green
(Halogen Free)
US30KB80R -55～150 -55～150 30
(Tc=97°C)		 800 350 1.10 10 0.8 Non - Green
※3 VR=600V per diode

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