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環境性能とバランス性能を兼ね備えた画期的なパワーMOSFET技術!!

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環境意識の高まりにより省エネ化の要求が増え続けており、電気エネルギーを有効活用するためのエコ製品が求められるようになってきています。電源回路の電力変換時損失を抑えるためにパワーデバイスの特性改善に期待が高まっています。当社はこのニーズに応えるために電力変換部などに幅広く使用されているパワーMOSFETの性能改善を推し進めております。環境性能の一つであるオン抵抗(RonA-VDSS)を当社従来品と比べ20%以上低減し、一般的に言われている低オン抵抗化による破壊耐量の低下を防ぎ、高効率化と高破壊耐量を同時に実現した次世代のパワーMOSFET「Hi-PotMOS®の技術を紹介します。
・製品の特徴: 高破壊耐量、低Ron-Qg、低オン抵抗
・仕様: 耐圧VDSS 500~600V、定格電流5~20A



[環境性能]

この「Hi-PotMOS®シリーズ」をご使用頂くと、従来の電源回路から一層環境に配慮した省エネ電源を実現します。また、一般的に低オン抵抗化の追及によりMOSFETの破壊耐量が弱まる傾向にあるなか、高破壊耐量をご使用いただく事で電源全体の信頼性向上に貢献し、保護回路などの外付け部品を減らした低コスト化を実現できます。さらに難しい電源回路設計の時間短縮化など、省エネ以外にも様々な電源回路ニーズにお応えすることができます。
高効率・高信頼性を兼ね備えた新電元の次世代パワーデバイス「Hi-PotMOS®。これからも更なる進化を求めて、新しい開発に取り組んでまいります。
※ Hi-PotMOS®は新電元の登録商標です。


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