パワーMOSFET 面実装型
P4B60HP2F
外観
外形寸法
等価回路図

製品概要

特長
    •内蔵ダイオード高速化
    •低オン抵抗
    •高速スイッチング
    •高アバランシェ耐量、高di/dt耐量
仕様
極性Nch
VDSS (V) 600
VGSS (V) ±30
ID (A) 4
RDS(on) (typ) (Ω) 1.6
PT (W) 70
Tch (℃) 150
DATA SHEET
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確認事項
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発注品名
P4B60HP2F-5071
パッケージ
FB
RoHS対応
Yes
パッキング形式
テーピング
受注数量 (個)
3000

*仕様コードは、標準の仕様コードのみ記載しております。フォーミング品や別途梱包品につきましては、営業までお問い合わせ願います。


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