パワーMOSFET リード挿入型
P10F50HP2
外観
外形寸法
等価回路図

製品概要

特長
    •高耐圧
    •低オン抵抗
    •高速スイッチング
    •高アバランシェ耐量、高di/dt耐量
仕様
極性Nch
VDSS (V) 500
VGSS (V) ±30
ID (A) 10
RDS(on) (typ) (Ω) 0.6
PT (W) 79
Tch (℃) 150
DATA SHEET
PDFダウンロード P10F50HP2 データシート
確認事項
PDFダウンロード 使用上の注意
発注品名
P10F50HP2-5600
パッケージ
FTO-220AG
RoHS対応
Yes
パッキング形式
バルク
受注数量 (個)
100

*仕様コードは、標準の仕様コードのみ記載しております。フォーミング品や別途梱包品につきましては、営業までお問い合わせ願います。


ご購入窓口のご案内




新電元工業株式会社 © 2002 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD All Rights Reserved.