新電元 SHINDENGEN TOPICS

高速版 高耐圧MOSFET Hi-PotMOS®シリーズ
新規ラインアップのお知らせ

新電元工業株式会社(本社 千代田区大手町)は、内蔵ダイオードの改善により高速化した高耐圧MOSFET Hi-PotMOS®シリーズを新規ラインアップいたしました。

1.概要

近年の環境意識の高まりより、インバータやモータ、スイッチング電源等の効率向上や低ノイズ化への要求が高まっています。
当社では、こうしたニーズに呼応したMOSFETを量産化してまいりましたが、今回、従来品から、内蔵のダイオードのtrr特性を改善し、高速化した高耐圧MOSFET Hi-PotMOS®を開発いたしました。

2.特長

内蔵ダイオードのtrr特性を改善、ハイサイドおよびローサイドの各ブロックで使用することにより、回路全体の効率向上・ノイズ低減化に効果を発揮します。


【推奨アプリケーション】

■インバータ回路
■フルブリッジ回路
■ハーフブリッジ回路
■モータ駆動回路
■照明用回路 等

従来品から内蔵ダイオードのtrr特性を最大80%低減しております。

【内蔵ダイオードに流れる電流波形】

3.製品ラインアップ

ご要望に応じたサンプル提出および量産化が可能です。(詳細は下表参照ください。)
パッケージは、一般的なTO-252相当品・TO-263相当品・FTO-220・MTO-3Pを予定しております。

【面実装パッケージ】

VDSS[V]
280 400 500、525 600
ID[A]
0.5 (サンプル対応可能)
1 (サンプル対応可能)
2 P2B60HP2F(※1)
2.5 P2R5B52HP2F(※1)
3 (サンプル対応可能) (サンプル対応可能)
4 (サンプル対応確認)
5 (サンプル対応確認)
6 (サンプル対応可能) (サンプル対応可能)
8.10 (サンプル対応可能)
15 (サンプル対応可能)
20 (サンプル対応可能)
26,36 (サンプル対応可能)


単位:mm

TO-252AA(FB) ※1

TO-263AB-1(FH)

【挿入型パッケージ】

VDSS[V]
280 400 500、525 600
ID[A]
5 P5F50HP2F(※2)
10,12 (サンプル対応可能)
15 (サンプル対応可能) (サンプル対応可能) P15F60HP2F(※2)
17 (サンプル対応可能)
18 (サンプル対応可能)
20 (サンプル対応可能)
21 (サンプル対応可能)
23 (サンプル対応可能)
26,36 (サンプル対応可能)
42,52 (サンプル対応可能)
75,85 (サンプル対応可能)


単位:mm

SC-91(FTO-220AG) ※2

MTO-3P

4.サンプル価格

お問い合わせ下さい。

5.生産工場

株式会社東根新電元 等

6.お問い合わせ先

新電元工業株式会社
販売推進部 マーケティング課
TEL 03-3279-4687
FAX 03-3279-4537

※掲載内容は、2015年12月22日現在のものです。

 

新電元工業株式会社 © 2002 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD All Rights Reserved.