新電元 SHINDENGEN TOPICS

産業用モータ駆動回路向け
セミカスタムパワーモジュールのご提案

1.背景

新電元工業株式会社(本社、千代田区大手町)は、お客様からの様々なニーズにお応えし、2013年12月にリリースした産業用モータ駆動回路向けパワーモジュール(品名:MG020200)をベースにセミカスタム対応を開始いたします。
(関連資料:http://www.shindengen.co.jp/product/new_product/top_topics/20130710.html
今回、その一例として、MG020200(量産品)のパッケージを活用したセミカスタムモジュールをご紹介いたします。

2.セミカスタムの事例

品名:MG020200
【外形図】(パッケージ名称:MG001(MG02))

単位:mm

各種安全規格への準拠や絶縁確保、高放熱の実現などにより商用200V入力を想定した高耐圧デバイスを搭載、小型・軽量化を実現するためのカスタム化を可能にいたしました。


■各種安全規格への準拠
パッケージに段差を設けることで各種安全規格に準拠した沿面・空間距離を確保しており、放熱フィンと端子間や端子実装ランド間での距離を確保しやすい(注1)
(注1:準拠規格=IEC/EN61800-5-1、UL61800-5-1)

■絶縁の確保
端子-放熱面間は2.5kVの絶縁耐圧を確保しており、お客様での絶縁に対する措置が不要(注2)
一部製品では絶縁に関わる安全規格UL1557を取得済み
(注2:絶縁シート等による絶縁は不要ですが、放熱性向上のためのグリスの塗布は必要です。)

■高放熱
高放熱絶縁基板の採用により、絶縁を確保しつつ高い放熱を実現(従来品比44%低減)

■回路・仕様変更例
【MG020200内部回路】
【MG020200仕様】
  http://www.shindengen.co.jp/product/semi/datasheet/SPM_MG020200.pdf

@. 搭載デバイスの変更によるカスタム化
 搭載デバイスの耐圧・定格電流や種別の変更が可能です。
 【変更例】
  ・ブレーキ部DiのVRMを、現行600V→400Vにカスタム化
  ・ブレーキ部DiのIoを、現行3A→20Aにカスタム化
  ・ブレーキ部スイッチングデバイスを、現行IGBT→MOSFETにカスタム化
  ・コンバータ部Diを、現行 一般ダイオード(VF≦1.05V)→低VFダイオード(VF≦0.92V)にカスタム化

A. 回路変更によるカスタム化
 内部回路の変更が可能です。
 【変更例】
  ・コンバータ部を、現行 三相→単相にカスタム化
  ・ブレーキ部を、力率改善回路にカスタム化

3.試作対応に関して

最短1ヶ月でのサンプル提出が可能です。(注3)

(注3:変更内容・半導体ベアダイ在庫状態などにより時期は異なりますので、詳細はお問い合わせ下さい。)

4.最後に

当社は今後もパッケージの拡充や標準品のラインアップの拡大を進めるとともに、お客様のニーズに合わせたセミカスタム対応を積極的に行ってまいります。

参考パッケージ写真

5.お問い合わせ先

新電元工業株式会社
販売推進部 マーケティング課
TEL 03−3279−4687
FAX 03−3279−4537

お問合せ

※掲載内容は、2015年10月22日現在のものです。

 

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