新電元工業株式会社(本社、東京都千代田区大手町)は、
15~25Aの大容量タイプである低背型のブリッジダイオード「JAシリーズ」に続き、
6~10Aの中容量タイプ「JBシリーズ」を開発いたしました。
基板実装面から高さが約11.7mmと中容量クラスでは業界トップ※1の低背化を実現、
2010年12月より、6種類のラインアップを取り揃え、量産を開始しております。
当社は、これからも、機器の小型・薄型化に応える製品開発を強化してまいります。

第5世代ショットキーバリアダイオード「SUシリーズ」発売のお知らせ
●基板実装面から高さ11.7mmを実現! 中容量ブリッジダイオードでは業界トップ※1
  当社従来品3Sパッケージから約36% 6.8mm低背化
●中容量に対応 Io(出力電流)6、8、10A     ※JAシリーズは大容量の定格電流15~25Aに対応
●ワイド入力に対応 VRM(せん頭逆電圧) 600V / 800V
●ピンコンパチブル設計
  当社従来品3Sパッケージから載せ換え可能
●高温保証Tj (接合部温度)= 150℃保証
●RoHS対応品
●各種安全規格 準拠/取得
  UL94 V-0、IEC 60950/60065準拠、UL1557取得File No.140422


3Sパッケージ 実装高さ:18.5mm 新規JBパッケージ 実装高さ:11.7mm 容量そのまま 高さ36%ダウン!

1.概要

LEDの採用に伴い低消費電力化の進む液晶TVのほか、プロジェクターやゲーム機などにおいて、電源への小型・薄型化の要求がますます強まってきています。
当社は、こうした低消費電力化や小型・薄型化の流れを受け、15~25Aの大容量タイプの低背型ブリッジダイオード「JAシリーズ」のリリースに続き、6~10Aの中容量クラスの低背型ブリッジダイオード「JBシリーズ」を開発、計6種類のラインアップを取り揃え、本格量産をスタートさせました。
「JBシリーズ」は、当社従来品である3Sシリーズから構造面※2を大幅に見直し放熱性に工夫を加えることで、Io(出力電流)保証の水準を維持しながら約6.8mm(約36%)の低背化に成功、基板実装面からの高さが約11.7mmと、中容量クラスでは業界トップ※1の低背化を実現しました。また、リードに加工を施すことで基板の実装面積を縮小することができ、小型・薄型化ニーズに応えた新製品となりました。

当社は、これからもお客様のニーズを満足する環境性能に優れた高効率パワーデバイスの開発を通じ、地球環境保護に貢献してまいります。

※1 当社調べ
※2 特許申請中

2.製品一覧表

ブリッジダイオード

 ブリッジダイオード

3.外形図

 JB

4.用途

5.生産工場

●新電元フィリピン 等

6.生産体制

●2010年12月より量産

7.価格(サンプル)

8.最小オーダー数量

1,000個(1000個単位でご注文ください)

9.問い合わせ先

 新電元工業株式会社 
 電子デバイス事業本部
 お問合せ

※掲載内容は、2011年1月14日現在のものです。