デバイス新製品情報

シリコンカーバイドショットキーバリアダイオード
「SF8S60W」開発・量産化へ

新電元工業株式会社（本社、千代田区大手町）は、シリコンカーバイドのショットキーバリアダイオード（以下SiC SBD）の「SF8S60W」（600V8A）を開発いたしました。2010年7月にサンプル出荷をスタートし、2011年夏頃の量産化に向け、準備を開始いたします。

特長
●V_F - trrトレードオフの関係を大幅に改善！　・低Ｖ_Ｆ（当社シリコン製ファストリカバリダイオード^※1から35％改善）　・リカバリー特性大幅改善（当社シリコン製ファストリカバリダイオード^※1から45％改善） ●せん頭サージ順電流（I_FSM）の高耐量化に成功（当社従来品SiC SBD^※2から1.7倍まで耐量アップ） ●PFC回路（電流連続モード）に最適・SF8S60W搭載の電源と当社シリコン製ファストリカバリダイオード^※1搭載の電源効率比較において、電源全損失で12％低減！

1．概要

シリコンカーバイド（以下SiC）を使用したパワー半導体は、現在主流のシリコンを使用したパワー半導体と比べ、スイッチング損失が極めて低く、高温領域においても優れた特性を発揮することから、次世代の高効率パワー半導体として、高い注目を集めています。
当社は、SiC SBDチップを外部メーカーから調達し当社がアッセンブリする形で、2006年9月には、国内メーカーとして初となるSiC SBD｢S12S60SIC」（600V12A）の量産化を果たし、販売してまいりました。
当社が、この度、開発した600V8AのSiC SBD「SF8S60W」は、当社の半導体技術を結集し、独自のプロセス技術を駆使してチップ段階から開発しており、2011年夏には、拡散プロセスからアッセンブリまでの一貫ラインで量産化してまいります。

SiC SBDの「SF8S60W」は、当社シリコン製ファストリカバリダイオード^※1と比較して、V_Fでは約35％改善（図1参照）、リカバリー損失では約45％低減し（図２参照）、従来のシリコン製パワー半導体では考えられない水準まで特性を向上させています。さらに、SｉC SBDの弱点であったせん頭サージ順電流（I_FSM）においても、チップ構造を改良することで当社従来品^※2から1.7倍まで耐量を引き上げるなど（図４参照）、大電力出力の電源において安心してご使用いただける仕様になっています。
当社は、「SF8S60W」のこうした特長を活かし、特に大電力電源に搭載されるPFC回路（電流連続モード）で採用を広げ、高効率化と高信頼性を備えた電源の実現（図３参照）に貢献していくほか、さらなる大容量化・高耐圧化に対応したSiC SBDの開発を強化してまいります。

当社は、これからもお客様ニーズに応えるパワーデバイス製品を提供し、高効率デバイスを通じて、地球環境保護に貢献してまいります。

※１　SF8L60USM
※２　S12S60SICの8A相当品

2．特長

・低V_F　（図1参照）
・低リカバリー損失　（図2参照）
・高効率電源　（図3参照）
・高I_FSM　（図4参照）
・せん頭逆電圧（V_RM）　600Ｖ
・出力電流（Io）　8Ａ
・パッケージ　　FTO-220AG
・RoHS対応品

3．特性・効率比較



	図１　順方向特性比較（Tj=25℃、パルス測定） ※ 定格電流8A時の比較			図２　リカバリー電流実機動作波形比較（入力100V　出力300W時　f=70kHz）

	図３　電源PFC部効率比較例（入力100V　出力370W時　f=70kHz）			図４　I_FSM比較（50Hz,正弦波,非繰り返し,1ｻｲｸﾙせん頭値,Tj=25℃）