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パワーMOSFET “Hi-PotMOS”シリーズ

新電元工業株式会社(本社、千代田区大手町)は、
高破壊耐量、低Ron・Qgを実現したパワーMOSFET「Hi-PotMOSシリーズ」を2009年4月より販売開始いたします。

  • 環境性能とバランス性能を兼ね備えた画期的な
    パワーMOSFETが完成!
  • 環境性能に徹底的にこだわり、オン抵抗を
    当社従来品(VX3シリーズ)から20%低減。
  • 電源回路設計者ニーズに配慮したバランス性能を追求、高破壊耐量の特長を活かしながら、
    Ron・Qgを当社従来品から45%以上低減。
パワーMOSFET “Hi-PotMOS”シリーズ

1.概要

 近年、地球環境保護の高まりをうけ、電源の電力変換部などに幅広く使用されているパワーMOSFETに対しても省エネニーズがますます強まってまいりました。
 当社は、従来から“高破壊耐量”が特長のパワーMOSFET(VX3シリーズ)を販売してまいりましたが、省エネニーズに応えるべく
「Hi-PotMOSシリーズ」を開発いたしました。
 「Hi-PotMOSシリーズ」は、環境性能の一つであるオン抵抗を当社従来品(VX3シリーズ)と比べ20%以上低減しているうえ、半導体プロセスのセル構造の微細化を進めながら、新しい拡散構造を取り入れることで低オン抵抗化のみならず、従来からの特長である高破壊耐量を維持し、さらに低Ron・Qg(従来品比45%以上低減)を実現させた画期的なパワーMOSFETに仕上がりました。
 この「Hi-PotMOSシリーズ」を御使用いただくと、従来の電源回路から一層環境に配慮した省エネ電源を実現します。また、一般に低オン抵抗化の追求によりMOSFETの破壊耐量が弱まる傾向にあるなか、高破壊耐量の「Hi-PotMOSシリーズ」を御使用いただくことで、電源全体の信頼性向上に貢献し、また、保護回路などの外付け部品を減らした低コスト化を実現、さらに難しい電源回路設計の時間短縮化など、省エネ以外にも様々な電源回路ニーズに応えることができます。

 

2.特長

  • 高破壊耐量(アバランシェ耐量、di/dt耐量)
  • 低Ron・Qg(VX3シリーズ比 45%低減)
  • 低オン抵抗(VX3シリーズ比 20%低減)
  • 仕様 耐圧500〜600V、定格電流5〜20A
  • パッケージ 面実装D-Pack、TO-220フルモールドの2種類

    RonA-VDSS

    D-Pack
    Ron・Qg-VDSS  

 

3.製品一覧表

品  名 耐  圧[V] 定格電流[A] オン抵抗(Max.)[Ω] パッケージ 備  考
F6B52HP 525 6 1.2 D-Pack 2009年4月発売予定
F5F50HP 500 5 1.5 T0-220
フルモールド
開発中
F10F50HP 10 0.75
F13F50HP 13 0.6
F15F50HP 15 0.5
F20F50HP 20 0.36
F5F60HP 600 5 1.5
F7F60HP 7 1
F10F60HP 10 0.65
F15F60HP 15 0.47

 

4.主な用途

  • FLバラスト(力率改善回路、ハーフブリッジ回路)
  • 電流共振電源(メインスイッチ部)
  • フライバック電源(メインスイッチ部)
  • 力率改善回路(電流連続、電流不連続モード)
  • その他各種電源回路等

5.生産工場

 株式会社東根新電元 他

 

6.生産体制

  • F6B52HP:2009年4月販売開始
  • TO-220フルモールドパッケージ品:2009年4月よりサンプル供給開始

7.価格

  • F6B52HPサンプル出荷価格:100円

8.最少オーダー数量

  • D-Pack品:1,500個
  • TO-220フルモールド品:1,000個

9.問い合わせ先

 新電元工業株式会社 
 電子デバイス事業本部
 お問合せ
 ※掲載内容は、2009年1月28日現在のものです。

以上


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